·IGBT
共有三個(gè)級(jí)，一般為G、E、C，通過(guò)G、E間加控制信號(hào)時(shí)可以改變E、C間的導(dǎo)通和截止。IGBT為電壓型驅(qū)動(dòng)器件，具備MOSFET的高速開(kāi)關(guān)特性和晶體管的低導(dǎo)通電阻。
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發(fā)布時(shí)間: 2010/04/07 人氣 :3624
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